Рынок памяти класса HBM пока имеет признаки дуополии, поскольку его контролируют Samsung и SK Hynix, но Micron уже начала поставки образцов своей продукции этого типа клиентам, и скоро сможет составить корейским компаниям конкуренцию.
В свою очередь, SK Hynix на этой неделе сообщила о начале массового производства микросхем памяти типа HBM2E.
Источник изображения: SK Hynix
Особую гордость у представителей SK Hynix вызывает тот факт, что с момента завершения разработки этой памяти до начала массового производства прошло всего десять месяцев.
В исполнении этого корейского производителя HBM2E предлагает пропускную способность до 3,6 Гбит/с на контакт, что при использовании 1024-разрядной шины обеспечивает скорость передачи более 460 Гбайт/с.
В качестве примера объясняется, что 124 фильма в качестве Full HD, каждый из которых занимает 3,7 Гбайт, память HBM2E способна передать за одну секунду.
В одном стеке может находиться до восьми микросхем объёмом по 2 Гбайт, что формирует общий объём 16 Гбайт.
Как мы могли убедиться, вокруг одного графического процессора могут располагаться четыре стека памяти, поэтому совокупный объём памяти абстрактного ускорителя может достигать 64 Гбайт.
Samsung к выпуску своей версии HBM2E приступила в прошлом полугодии, эта память способна передавать информацию со скоростью 538 Гбайт/с, что выше предусмотренных стандартом 410 Гбайт/с.
Теоретически, в одном стеке HBM2E может находиться до 12 микросхем, но пока такую память никто из производителей предложить не готов.
